레이저 다이오드의 제조 방법

Manufacturing method of raser diode

Abstract

본 발명은 고출력 또는 저출력 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 거울면 코팅을 한 후 다시 열처리를 하였을 경우 레이저 다이오드의 전기 광학적 특성이 개선되는 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따른 레이저 다이오드 제조 방법은, 전극 형성 공정이 끝난 웨이퍼를 일정한 캐비티 길이를 갖는 레이저 다이오드 칩바 형태로 절단하는 단계와, 상기 절단된 칩바는 거울면 코팅을 할 수 있도록 제작된 지그에 적층되는 단계와, 상기 적층이 끝난 후 상기 칩의 각각의 양면에 방향성을 갖는 스퍼터링법에 의해 비반사 및 고반사 코팅 반사막을 증착하는 단계와, 상기 코팅이 끝난 후에 다시 칩바를 분리하여 열처리 공정을 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
PURPOSE: A method for manufacturing a laser diode is provided to improve the electro-optic characteristics of the diode and enhance the reliability of the diode by adding a heat treatment. CONSTITUTION: A wafer completed with an electrode forming process is cut into a laser diode chip bar type structure having a constant cavity length. The chip bar type structure is deposited on a jig, wherein the jig is capable of carrying out a mirror plane coating process. A non-reflective and a high reflective coating reflection layer are deposited on the resultant structure by carrying out a sputtering process. The chip bar type structure is separated from the resultant structure. Then, a heat treatment is carried out on the chip bar type structure.

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    KR-100955387-B1April 29, 2010엘에스전선 주식회사Method of processing laser diode chip bar for improving optical output property and laser diode chip bar thereby